虽然目前三星台积电的工艺进入了4nm但三星的水平还是差一些

导读 众所周知,虽然目前三星、台积电的工艺进入了4nm,但比较下来,三星的水平还是差一些的,最直观的就是5nm工艺时,双方的晶体管密度相差35%

众所周知,虽然目前三星、台积电的工艺进入了4nm,但比较下来,三星的水平还是差一些的,最直观的就是5nm工艺时,双方的晶体管密度相差35%左右。

另外从三星、台积电分别代工的高通骁龙8、骁龙8+就可以看出来,台积电代工的明显性能更强,同时功耗更低。

搞得nvidia都表示,下一代40系列显卡,不与三星合作,要与台积电合作,基于台积电的N4工艺了。

这对于三星而言,确实是压力山大。所以三星有了一个非常激进的计划,那就是在3nm时,一定要领先台积电,实现反超。

更重要的是,3nm时,三星要采用更先进的GAAFET晶体管技术,抛弃之前的FinFET晶体管技术。

而GAAFET晶体管技术确实比FinFET更先进,相比于之前的FinFET技术,GAAFET工艺下,加到晶体管上的电压(阈值电压)变小,这样可以让晶体管的漏电功率也变小(芯片的功耗有50%+为漏电功耗),一旦漏电功耗小了,整体功耗就变小后,这样芯片的发热会变得更小,芯片的效率更高,性能更棒。

而为了能够领先台积电,三星表示要在2022年二季度实现量产,目前离2季度结束已经只有一周了,也就是说,最晚下周三星就会正式量产3nm。

虽然三星没有表示GAAFET工艺下的3nm,与现在的4nm相比,有多少的提升,但与之前的7nm,还是比较了一番的。

根据之前的数据,三星称与7nm 工艺相比,芯片面积减少35%,性能提高 30% 的性能,功能降低 50%。

由于之前三星已经陷入了良率困境,据称4nm只有35%,低到高通、nvidia都受不了,三星内部都在彻查用于提升良率的资金到哪里去了。

所以3nm工艺,对三星而言相当重要,当年三星在14nm的FinFET晶体管技术上,实现了对台积电的反超,所以拿到了苹果的订单。

只不过后来三星没有稳住,让台积电又追上甚至超过了,这次三星也想像14nm一样,实现反超,从而翻身,就看这一把GAAFET工艺能不能hold住了。

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